Греческие ученые из Салоник преодолели «Стену памяти» с созданием самой быстрой оперативной памяти в мире

Члены Исследовательской группы беспроводных и фотонных систем и сетей (ЭРАФОС) университета им. Аристотеля в Салониках

Члены Исследовательской группы беспроводных и фотонных систем и сетей (ЭРАФОС) университета им. Аристотеля в Салониках (АПФ) создали самую быструю в мире оперативную память (Random Access Memory/RAM), которая вместо электрической энергии сохраняет свет.

Исследовательская группа состоит из докторов Христоса Вагионаса и Феони Алексуди, а также аспиранта Апостолиса Цакиридиса, старшего преподавателя кафедры информатики АПФ Никоса Плероса и ассистента той же кафедры Амалии Милиу.

Исследование было опубликовано в «Optical Letters» - одном из крупнейших научных журналов по оптическим технологиям, издаваемом Оптическим обществом Америки (Optical Society of America).

Исследователи заменили электронную память соответствующей оперативной памятью с произвольным доступом, которая поддерживает скорость чтения и записи данных в 10 Гбит/сек (т.е. до 10 миллиардов бит в секунду), достигнув, тем самым, в два раза бо́льшей скорости, чем самая быстрая память RAM, выпускаемая всемирно известными ИТ-компаниями - такими, как Intel и IBM.

Научное достижение, являющееся результатом многолетних усилий исследовательской группы АПФ, начиная с 2009 года, разрешило давнишнюю компьютерную проблему, известную как «Стена памяти». До этого открытия скорость оперативной памяти с произвольным доступом (RAM) на протяжении вот уже более 30 лет развивалась с гораздо меньшей скоростью, чем соответствующая скорость процессора, что, в конечном итоге, привело к постоянно увеличивающемуся разрыву между производительностью процессора и оперативным запоминающим устройством. Это, как следствие, вынуждало процессор находиться в ожидании получения данных из «медленной памяти» и, в свою очередь, приводило не только к задержке их обработки, но и к задержке всех других процессов.